Samsung, Micron ორი საცავის ქარხნის გაფართოება!

ბოლო დროს, ინდუსტრიის სიახლეები აჩვენებს, რომ ხელოვნური ინტელექტის (AI) ბუმით გამოწვეული მეხსიერების ჩიპებზე მოთხოვნის გაზრდის მიზნით, Samsung Electronics-მა და Micron-მა გააფართოვეს მეხსიერების ჩიპების წარმოების შესაძლებლობები. Samsung განაახლებს ინფრასტრუქტურის მშენებლობას თავისი ახალი პიონგტაეკის ქარხნისთვის (P5) უკვე 2024 წლის მესამე კვარტალში. Micron აშენებს HBM ტესტირებისა და მოცულობის წარმოების ხაზებს თავის სათაო ოფისში ბოისში, აიდაჰოში და განიხილავს HBM-ის წარმოებას მალაიზიაში პირველად. დროა დააკმაყოფილოს AI ბუმის მეტი მოთხოვნა.

Samsung-მა გახსნა ახალი პიონგტაეკის ქარხანა (P5)
უცხოური მედიის სიახლეები აჩვენებს, რომ Samsung Electronics–მა გადაწყვიტა განაახლოს ახალი პიონგტაეკის ქარხნის ინფრასტრუქტურა (P5), რომელიც სავარაუდოდ განაახლებს მშენებლობას ყველაზე ადრე 2024 წლის მესამე კვარტალში და დასრულების დრო სავარაუდოდ 2027 წლის აპრილი იქნება, მაგრამ წარმოების რეალური დრო შეიძლება იყოს უფრო ადრე.

წინა ინფორმაციით, ქარხანამ მუშაობა იანვრის ბოლოს შეწყვიტა და სამსუნგმა იმ დროს განაცხადა, რომ „ეს არის დროებითი ღონისძიება პროგრესის კოორდინაციისთვის“ და „ინვესტიცია ჯერ არ განხორციელებულა“. Samsung P5 აშენდა ეს გადაწყვეტილება, განაახლოს მშენებლობა, ინდუსტრიამ უფრო მეტად განმარტა, რომ მეხსიერების ჩიპების მოთხოვნით გამოწვეული ხელოვნური ინტელექტის (AI) ბუმის საპასუხოდ, კომპანიამ კიდევ უფრო გააფართოვა წარმოების შესაძლებლობები.

ცნობილია, რომ Samsung P5 ქარხანა არის დიდი ფაბრიკა რვა სუფთა ოთახით, ხოლო P1-დან P4-მდე მხოლოდ ოთხი სუფთა ოთახია. ეს შესაძლებელს ხდის Samsung-ს ჰქონდეს მასობრივი წარმოების შესაძლებლობები ბაზრის მოთხოვნის დასაკმაყოფილებლად. მაგრამ ამჟამად არ არსებობს ოფიციალური ინფორმაცია P5-ის კონკრეტული მიზნის შესახებ.

კორეული მედიის ცნობით, ინდუსტრიის წყაროებმა განაცხადეს, რომ Samsung Electronics-მა 30 მაისს გამართა დირექტორთა საბჭოს შიდა მართვის კომიტეტის შეხვედრა P5 ინფრასტრუქტურასთან დაკავშირებული დღის წესრიგის წარდგენისა და მიღების მიზნით. მენეჯმენტის საბჭოს თავმჯდომარეობს აღმასრულებელი დირექტორი და DX განყოფილების ხელმძღვანელი Jong-hee Han და შედგება ნოჰ ტაე-მუნი, MX ბიზნეს განყოფილების ხელმძღვანელი, პარკ ჰაკ-გიუ, მენეჯმენტის მხარდაჭერის დირექტორი და ლი ჯეონგ-ბაი, Storage Business-ის ხელმძღვანელი. ერთეული.

Hwang Sang-joong-მა, ვიცე-პრეზიდენტმა და DRAM პროდუქტებისა და ტექნოლოგიების ხელმძღვანელმა სამსუნგში, მარტში განაცხადა, რომ მოელის, რომ წელს HBM წარმოება 2.9-ჯერ მეტი იქნება, ვიდრე გასულ წელს. ამავდროულად, კომპანიამ გამოაცხადა HBM საგზაო რუკა, რომელიც მოელის, რომ 2026 წელს HBM მიწოდება იქნება 13.8-ჯერ მეტი 2023 წლის წარმოებაზე, ხოლო 2028 წლისთვის HBM წლიური წარმოება კიდევ გაიზრდება 23.1-ჯერ ვიდრე 2023 წლის დონე.

Micron აშენებს HBM ტესტის საწარმოო ხაზებს და მასობრივი წარმოების ხაზებს შეერთებულ შტატებში
19 ივნისს მედიის უამრავმა სიახლემ აჩვენა, რომ Micron აშენებს HBM სატესტო წარმოების ხაზს და მასობრივი წარმოების ხაზს თავის სათაო ოფისში ბოისში, აიდაჰოში და პირველად განიხილავს HBM წარმოებას მალაიზიაში, რათა დააკმაყოფილოს ხელოვნური ინტელექტის მეტი მოთხოვნა. ბუმი. ცნობილია, რომ Micron's Boise fab ონლაინ იქნება 2025 წელს და დაიწყებს DRAM წარმოებას 2026 წელს.

Micron-მა ადრე გამოაცხადა, რომ გეგმავს გაზარდოს თავისი მაღალი გამტარუნარიანობის მეხსიერების (HBM) საბაზრო წილი ამჟამინდელი „შუა ერთნიშნა ციფრიდან“ დაახლოებით 20%-მდე ერთი წლის განმავლობაში. ჯერჯერობით, Micron-მა გააფართოვა შენახვის მოცულობა ბევრ ადგილას.

აპრილის ბოლოს, Micron Technology-მა ოფიციალურად გამოაცხადა თავის ოფიციალურ ვებსაიტზე, რომ მიიღო $6.1 მილიარდი სახელმწიფო სუბსიდიები Chip and Science Act-იდან. ეს გრანტები, დამატებით სახელმწიფო და ადგილობრივ წახალისებასთან ერთად, ხელს შეუწყობს Micron-ის მიერ DRAM მეხსიერების წარმოების წამყვანი ობიექტის მშენებლობას აიდაჰოში და ორი მოწინავე DRAM მეხსიერების წარმოების ობიექტის კლეი თაუნში, ნიუ-იორკში.

ქარხანა აიდაჰოში დაიწყო მშენებლობა 2023 წლის ოქტომბერში. Micron-მა თქვა, რომ ქარხანა სავარაუდოდ იქნება ონლაინ და ფუნქციონირებს 2025 წელს და ოფიციალურად დაიწყებს DRAM წარმოებას 2026 წელს, ხოლო DRAM წარმოება გაგრძელდება მრეწველობის მოთხოვნის ზრდასთან ერთად. ნიუ-იორკის პროექტი გადის წინასწარი დიზაინის, საველე კვლევებისა და ნებართვის განაცხადების, მათ შორის NEPA-ს. ფაბრიკის მშენებლობა, სავარაუდოდ, 2025 წელს დაიწყება, წარმოება დაიწყება 2028 წელს და გაიზრდება ბაზრის მოთხოვნის შესაბამისად მომდევნო ათწლეულის განმავლობაში. აშშ-ს მთავრობის სუბსიდირება ხელს შეუწყობს Micron-ის გეგმას დააბანდოს დაახლოებით 50 მილიარდი აშშ დოლარი მთლიან კაპიტალურ ხარჯებში შეერთებულ შტატებში წამყვანი შიდა მეხსიერების წარმოებისთვის 2030 წლისთვის, ნათქვამია პრესრელიზში.

მიმდინარე წლის მაისში, ყოველდღიურმა სიახლეებმა იტყობინებოდნენ, რომ Micron დახარჯავს 600-დან 800 მილიარდ იენამდე, რათა ააშენოს მოწინავე DRAM ჩიპების ქარხანა ექსტრემალური ულტრაიისფერი სინათლის (EUV) მიკროჩრდილის პროცესის გამოყენებით ჰიროშიმაში, იაპონია, რომელიც სავარაუდოდ დაიწყება 2026 წლის დასაწყისში და დასრულდება. 2027 წლის ბოლოს. მანამდე იაპონიამ დაამტკიცა 192 მილიარდი იენის სუბსიდიები Micron-ის მშენებლობაში მხარდასაჭერად. ქარხანა ჰიროშიმაში და აწარმოებს ახალი თაობის ჩიფსებს.

Micron-ის ახალი ქარხანა ჰიროშიმაში, რომელიც მდებარეობს არსებულ Fab 15-თან ახლოს, ფოკუსირებული იქნება DRAM-ის წარმოებაზე, უკანა შეფუთვისა და ტესტირების გამოკლებით და ყურადღებას გაამახვილებს HBM პროდუქტებზე.

2023 წლის ოქტომბერში Micron-მა გახსნა თავისი მეორე ინტელექტუალური (უახლესი ასამბლეის და ტესტირების) ქარხანა პენანგში, მალაიზია, საწყისი ინვესტიციით $1 მილიარდი. პირველი ქარხნის დასრულების შემდეგ, Micron-მა დაამატა კიდევ 1 მილიარდი დოლარი, რათა გაეფართოებინა მეორე ჭკვიანი ქარხანა 1,5 მილიონ კვადრატულ ფუტამდე.